2012年3月7日，微电子研究所承担的院科研装备研制项目“离子束溅射与刻蚀系统”通过中科院计划财务局组织的专家组验收。专家组听取了项目组的研制工作报告、财务报告及测试专家组的测试报告，检查了设备的现场运行情况，审核了相关文件档案。专家组认为，该项目研制的离子束溅射与刻蚀系统完整，运行正常，仪器指标达到了项目任务书要求；利用该设备开发的工艺在相关国家项目中已获得应用，如利用该设备生长的氧化铪薄膜材料成功研制阻变存储器，金薄膜刻蚀工艺也已应用在衍射元件中；项目经费使用合理，档案资料完整，一致同意通过验收。

该项目研制的离子束溅射与刻蚀系统具有离子束溅射及共溅射、辅助离子束溅射、反应离子束溅射、衬底反溅清洗、衬底加温、原位退火、离子束刻蚀、反应离子束刻蚀等多种功能。利用该系统可实现各种金属和介质材料的高质量溅射沉积和退火处理，以及用常规方法难以刻蚀的各种材料的高各项异性、高选择比和高高宽比刻蚀。该系统的成功研制具有重要的科学意义和实用价值，不仅可促进交叉学科研究，满足前沿基础研究方面的需求，还可为国家发展具有自主知识产权的下一代IC关键装备提供技术储备。