2013年11月01日 09:44:00 　来源：    字体大小[大中小]

10月27至11月1日，欧洲同步辐射装置ESRF的插入件专家Joel Chavanne博士应邀访问中科院高能所，就高能同步辐射光源验证装置（HEPS）插入件系统的预研工作开展技术交流。高能所副所长姜晓明、王九庆与Joel Chavanne进行了会谈，并达成进一步合作的意向。

Joel Chavanne博士长期致力于插入件磁场设计和调试方法的研究，是著名3D磁场计算软件RADIA的主要创建者之一，目前担任ESRF插入件系统负责人。

10月28日，Joel Chavanne做了题为“Insertion Devices，From third-generation light sources to ultra-small emittance rings”的学术报告，介绍了ESRF插入件现状，插入件的发展趋势以及ESRF正在开展的“超小发射度”储存环研究项目。Joel Chavanne指出，目前插入件正在向小间隙短周期方向发展，超小发射度的储存环将在现有纳米级水平发射度基础上降低1-2个数量级，这与高能所即将开展的HEPS装置的研究方向与与关键技术高度关联。

访问期间，Joel Chavanne与多学科中心插入件组开展了详细的技术讨论，对低温波荡器的初步设计方案提出了指导性意见，并参观了高能所波荡器恒温磁测实验室以及高性能磁性材料研制厂家。





http://www.ihep.cas.cn/xwdt/gnxw/2013/201311/t20131107_3969178.html

 

【打印】【关闭】